Разработка интегрального аналогового устройства

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 04 Ноября 2012 в 15:34, курсовая работа

Краткое описание

Среди устройств радиосвязи, радиовещания и телевидения усилители электрических сигналов получили самое широкое распространение. Их роль и значение для радиосвязи, радиовещания и телевидения трудно переоценить. По существу, они являются основой построения всей аппаратуры радиосвязи, радиовещания и телевидения: усиление электрических сигналов является фундаментальным свойством всей аппаратуры обработки сигналов. То же самое можно сказать и о дальней проводной связи, измерительной технике, вычислительной технике и многих других областях современной науки и техники.

Содержание работы

Техническое задание
3
Введение
4
1. Разработка структурной схемы
5
2. Разработка принципиальной схемы
2.1Электрический расчет.
2.2. Расчет элементов определяющих АЧХ.
6
8
12
3. Разработка интегральной схемы
16
5. Этапы изготовления ГИМС
19
Зеключение

Содержимое работы - 1 файл

Копия схемотехника (Курсовой) В-84.doc

— 2.17 Мб (Скачать файл)

Результаты расчетов заносим в  таблицу 1:

 

 

 

 

 

fн(о.с)

0

0,1

0,2

0,5

0,7

1

1,5

2

0,5

1

2

5

10

fн(Гц)

0

30

60

150

210

300

450

600

1700

3400

6800

17000

34000

lg(fн)

0

1,4771

1,7781

2,1760

2,3222

2,4771

2,6532

2,7781

3,2304

3,5314

3,8325

4,2304

4,5314

0

0,0372

0,1338

0,4912

0,6543

0,7943

0,8967

0,9392

0,9691

0,8913

0,7008

0,3658

0,1928


         

                                                                    

 

Расчёт АЧХ в области верхних  частот.

Расчет АЧХ в области верхних  частот проводим по формуле:

                      

Рекомендуемые значения частот: : 0,5fВ, fВ, 2fВ, 5fВ, 10fВ.

 

Результаты расчетов заносим в  таблицу 1.По результатам расчета  строим АЧХ , используя логарифмический  масштаб оси частот, рис. 4.

                                                                                                  

Производим проверку соответствия расчетных и заданных значений Мн и Мв:

Мн = 1/Yн = 1/ 0,89125= 1,122

Мв = 1/Yв = 1/ 0,89125= 1,122

Расчетные значения Мн и Мв соответствуют заданным.

 

 

 

 

 

                                                                                                                                                                   

 

 

 

Рисунок 4 график АЧХ усилителя.

 

 

 

 

 

3.Разработка  интегральной микросхемы

 

 

В этом разделе необходимо подобрать  номиналы навесных элементов и определить конфигурацию интегральных элементов.

VT1 – навесной элемент (по условию) тип 2П201Д-1

VT2 – навесной элемент КТ207В

ГОСТ сопротивлений    Rэ2 – 2 кОм, Rс = 2,2КОм, Rз=470КОм

Определяем коэффициент формы  по формуле Кфi = Ri / RS

               ,где Ri –номинал iго резистора в Омах,

               RS –удельное поверхностное сопротивление в Ом / квадрат.

 

                       

 1) Резистор Rз =470КОм материал Кермет, RS от3000…10000 Ом/кв.

          47

47<50 такой резистор  реализуется как пленочный, 47>10  составленного из нескольких полосок. 

                             LЗф*bmin=47*0.2=9,4мм

рассчитанная длина L представляет суммарную длину всех полосок (а,b),  где     b=bмин=200мкм (масочный метод изготовления)

                                      

2)  Резистор Rс номинал 1800Ом материал нихром

                                  

          6<10  Форма  полоска (а,b),где b=bмин=200мкм

           LCф*bmin = 6*200мкм = 1,2 мм 

3)  Резистор Rэ =Rк номинал 2000Ом материал Нихром

                     Кф =   

         6,67<10  Форма полоска (а,b),где b=bмин=200мкм

         LЭф*bmin = 6,77*200мкм = 1,33мм

Расчет мощностей рассеиваемых на резисторах:

                                               

1) Резистор RЗ =470КОм

                  

             

 Резистор RЗ состоит из четырех полосок размерами (L=9.4мм; b=0,2мм) с общей площадью S=1,88мм2.

 

2.) Резистор Rc =1,8КОм

           

         

Так как рассчитанное значение оказалось  больше РМАХ ,  увеличиваем одновременно длину и ширину пленочного резистора в 9 раза. Это позволяет сохранить расчетное значение КФ:

(а=10,8мм; b=1,8мм)  S=19.44мм2

            .

Резистор RЭ имеет окончательные размеры (а=10,27мм; b=1.4мм)  S=14.4мм23)

3) Резистор RЭ =2 КОм

 РRэ = (4.2*10-3)2 *2000=36мВт

        

Так как рассчитанное значение оказалось  больше РМАХ ,  увеличиваем одновременно длину и ширину пленочного резистора в 7раза. Это позволяет сохранить расчетное значение КФ:

            .

Резистор RЭ имеет окончательные размеры (а=9,3мм; b=1,4мм)  S=13мм2

Расчет занимаемых площадей пленочных  конденсаторов:

                    Ср1 =2,2нФ;   Ср3 =156мкФ Ск= 11нФ

 

Ср1=2,2нФ, по площади сравним с навесным, берем навесной. Тип К10-17 2,2нФ.

          (L=2мм; B=2мм) 

Ср3 =Ср2=156мкФ только навесной выбирается согласно рекомендациям К53-16,

          (L=4мм; B=2мм) 

Ск= 1,5нФ только навесной выбирается согласно рекомендациям   К10-17,

          (L=2мм; B=6мм) 

 

9. Выбор площади подложки

 

Общая площадь занимаемая всеми  элементами схемы:


 

Где Sтр – площадь занимаемая транзисторами;

SR – площадь занимаемая резисторами

Sс – площадь занимаемая конденсаторами

Sтр = SVT1+SVT2 = (1+0,175)=1,175мм2

SR = SRc+ SRэ +SRк + SR3 = 19,44+13+13+1,88=47,45мм2

Sc = Sср1 + Scр3 +Scр2 + Scк = 4+8+8+12= 24мм2

SΣ= 1,175 + 47,45 + 24 = 72,63мм2

Учитывая площадь соединений, промежутки между элементами и расстояние от края подложки,  увеличиваем суммарную площадь в 3 раза.

S = 3*SΣ = 3*67,56=217,88мм2

Из рекомендуемых размеров плат выбираем плату длиной 20мм, шириной 16мм.

 

5. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.

3.1.Учитывая общие принципы составления  топологического чертежа, в которые  входят:

а) Минимизация межэлементных соединений.

б) Минимизация площади занимаемой элементами.

в) Равномерное расположение элементов по площади

подложки.

И еще ряд ограничений тонкопленочной технологии

- пассивные и активные элементы  располагаются на расстоянии  не менее одного мм. от края

- входные и выходные контакты  располагаются вдоль длинных  сторон подложки на расстоянии не менее одного мм. от края.

- навесные элементы (компоненты) устанавливаются  в специально отведенные места  на расстоянии не менее 0,5 мм. от пленочных элементов и не менее 0,6 мм. от контактных площадок, минимальное расстояние между навесными элементами 0,3 мм.

- длина проволочных выводов  навесных компонентов должна  находиться в пределах от 1 до 5 мм.

- минимально допустимое расстояние  между пленочными элементами (в  том числе контактными площадками) 0,2 мм.

-минимально допустимая ширина  проводников 0,1 мм.

-минимально допустимые размеры контактных площадок для припайки внешних выводов 0,4 х 0,4 мм. , а для приварки навесных элементов  0,25 х 0,25 мм.

Составляем топологический чертеж ГИМС из рассчитанных размеров

Пленочных резисторов и заданных размеров навесных элементов.

              

                                         Рис.5     Эскиз топологии  ГИМС    Масштаб 5:1

Заключение

В данной курсовой работе была составлена электрическая схема аналогового устройства на основе биполярного и полевого транзистора. Были выбраны тип и структура биполярных и полевых транзисторов. Произведен электрический расчет схемы двухкаскадного усилителя. В соответствии с общими принципами составления топологического чертежа, разработана топология.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12. Литература

1. Конспект лекций

2. а. н. Игнатов Разработка интегрального аналогового устройства. Методическое указания к курсовой работе.

3. В.Н. Павлов, В.Н. Ногин  Схемотехника  аналоговых электронных устройств:  М.: Радио и связь, 1997.

4. А.В. Цыкина.  Усилители: М.: Связь, 1972




Информация о работе Разработка интегрального аналогового устройства