Автор работы: Пользователь скрыл имя, 06 Мая 2010 в 19:33, реферат
Виды запоминающих устройств
Флэш-память (Flash-Меmorу) по типу запоминающих элементов и основным принципам работы подобна памяти типа Е2РROМ однако ряд архитектурных и структурных особенностей позволяют выделить ее в отдельный класс. Разработка Флэш-памяти считается кульминацией десятилетнего развития схемотехники памяти с электрическим стиранием информации.
В пленке, толщина которой меньше 0,1 мкм, образуются ориентированные диполи, которые служат запоминающими элементами, хранящими различные двоичные данные при изменении знака поляризации. Расположенные в полимерной пленке запоминающие элементы размещаются между двумя взаимно перпендикулярными металлическими дорожками, на которые подаются определенные напряжения (рис. 16-3). Индивидуальные биты активизируются возбуждением словарной и разрядной линии, на пересечении которых они находятся. Наличие созданных диполей себя проявляет, и набор чувствительных усилителей в разрядных линиях воспринимает значения битов данных.
Рисунок 4.10 –
Схематическая конструкция
Информация о работе Флэш-память, флерспективные запоминающие устройства