Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их пременеия
Реферат, 23 Октября 2011
Для начала надо познакомиться с механизмом проводимости в полупроводниках. А для этого нужно понять природу связей удерживающих атомы полупроводникового кристалла друг возле друга. Для примера рассмотрим кристалл кремния.
P-n-переход. Полупроводниковые диоды и применение их в технике
Реферат, 14 Февраля 2013
Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность задолго до этого были обнаружены:
эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник;
фотопроводимость.
Полупроводниковые диоды и транзисторы, области их применения
Реферат, 28 Декабря 2010
Сначала надо познакомиться с механизмом проводимости в полупроводниках. А для этого нужно понять природу связей удерживающих атомы полупроводникового кристалла друг возле друга. Для примера рассмотрим кристалл кремния.
Идентификация параметров математических моделей полупроводниковых приборов (диода 1N4841, транзисторов КТ368А, КТ818Г, КП505А)
Курсовая работа, 03 Мая 2012
Задачей данной курсовой работы было определение параметров математических моделей полупроводниковых приборов, таких как диод, биполярные и полевой транзисторы, закрепление и углубление теоретических знаний, а также получение навыков постановки и проведения эксперимента и грамотной обработки и трактовки его результатов.
Полупроводниковые диоды
Сайт-партнер: yaneuch.ru
Реферат, 29 Марта 2014
Принципы работы термионного диода были заново открыты 13 февраля 1880 года Томасом Эдисоном, и затем, в 1883 году, запатентованы (патент США № 307031). Однако дальнейшего развития в работах Эдисона идея не получила. В 1899 году германский учёный Карл Фердинанд Браун запатентовал выпрямитель на кристалле[4]. Джэдиш Чандра Боус развил далее открытие Брауна в устройство применимое для детектирования радио. Около 1900 года Гринлиф Пикард создал первый радиоприёмник на кристаллическом диоде. Первый термионный диод был запатентован в Британии Джоном Амброзом Флемингом (научным советником компании Маркони и бывшим сотрудником Эдисона) 16 ноября 1904 года (патент США № 803684 от ноября 1905 года). 20 ноября 1906 года Пикард запатентовал кремниевый кристаллический детектор (патент США № 836531).
Полупроводниковые диоды
Сайт-партнер: myunivercity.ru
Реферат, 12 Мая 2013
Полупроводниковые приборы начали развиваться бурными темпами. Транзистор был изобретен в 1948 г. в США. В 1955 г. в мире выпускалось 350 типов транзисторов, а в 1963 г. - уже 3000 типов. В 1956 г. только в США изготовлялось 14 млн. транзисторов в год, а в 1961 г. в Японии - 200 млн. транзисторов в год.
В нашей стране огромный вклад в развитие теории полупроводниковых приборов внесла школа академика А.Ф. Иоффе.
Полупроводниковые приборы не требуют подогрева, потребляют очень мало энергии, имеют малые габариты и вес.
В данном реферате рассматриваются диоды – одни из наиболее простых полупроводниковых приборов. Приводятся примерная классификация и их основные технические характеристики.
Полупроводниковые диоды
Сайт-партнер: freepapers.ru
Лабораторная работа, 18 Января 2012
Цель
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении p-n перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении.
4. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
5. Закрепление теоретического материала.
Полупроводниковые диоды
Сайт-партнер: referat.yabotanik.ru
Курсовая работа, 24 Декабря 2010
Полупроводниковый диод представляет собой двухэлектродный прибор, действие которого основано на использовании электрических свойств p-n перехода или контакта металл-полупроводник. К этим свойствам относятся: односторонняя проводимость, нелинейность вольтамперной характеристики, наличие участка вольтамперной характеристики, обладающего отрицательным сопротивлением, резкое возрастание обратного тока при электрическом пробое, существование емкости p-n перехода.