Проектирование и конструирование КМДП ИС

       Изменив минимальный размер шины поликремния с 5 до 3 мкм, удалось уменьшить узловые ёмкости. Для некоторых ёмкостей изменения достигли почти 50%. Результат этой модификации представлен на рисунке 18.

Рисунок 18 – Контурная топология ИС при изменении ширины шины поликремния

       Уменьшая  ширину шин «питания» и «земли»  и сокращая расстояние между ними удалось ещё больше уменьшить узловые ёмкости. Результат этой модификации представлен на рисунке 19.

Рисунок 19 – Контурная топология ИС при изменении ширины шины поликремния, «питания», «земли» и сокращения расстояния между шинами «питания» и «земли»

       Графики переходных процессов на фронтах импульсов с учётом новых конструктивно-технологических ограничений приведены на рисунках 20 и 21.

Рисунок 20 – Эпюры переходных процессов с учётом новых конструктивно-технологических ограничений при переходе из 1 в 0,

Рисунок 21 – Эпюры переходных процессов с учётом новых конструктивно-технологических ограничений при переходе из 0 в 1,  

       Изменения переходных процессов привели к  улучшению частотных свойств проектируемой ИС. Среднее время задержки распространения сигнала было уменьшено с 18нс до 16нс.

12. Общие выводы

       В курсовом проекте была разработана  ИС, выполняющая функцию «мультиплексор 8 в 1» в базисе «ИЛИ-НЕ». С помощью САПР MicroCap были разработаны функциональная и принципиальная схемы требуемой ИС устройства. При помощи САПР TIS, была спроектирована топология ИС с размерами 333×204,5 мкм. Всвязи с ограничением данной программы была спроектирована только часть схемы, состоящая из 26-ти транзисторов. Также с помощью данной программы были рассмотрены переходные процессы, из анализа которых установлено итоговое время задержки, составившее 16нс.

Список  использованной литературы

1. [Электронный ресурс]: http://ru.wikipedia.org/wiki/Мультиплексор_(электроника)
2. [Электронный ресурс]: http://texnic.ru/tools/cif_ms/13.html
3. [Электронный ресурс]: http://edu.dvgups.ru/METDOC/GDTRAN/YAT/TELECOMM/ELEKTRONIKA/METOD/STAFEEV1/frame/1_2.htm
4. Автоматическое проектирование полузаказных БИС на КМОП структурах. Методическое указание к курсовому проектированию (№3322). Сост.: Ю.А.Копейкин, С.В.Рожков. Рязань, 2002. 24 с.
5. Ватанабэ М., Асада К. и др. Проектирование СБИС. М.: Мир, 1988. 300с.
6. Автоматизация проектирования матричных КМОП БИС / Под ред. А.В. Фомина. М.: Радио и связь, 1991. 256 с.
7. Аваев Н. А., Наумов Ю.Б. Элементы сверхбольших интегральных схем. М.: Радио и связь, 1986. 168 с.

Содержание 

1 Краткий анализ технического задания 3

2 Базовые логические элементы на МОП-структурах 4

3 Синтез функциональной и принципиальной электрических схем ИС по заданной функции 6

4 Ввод и редактирование описания электрической схемы в ПЭВМ 10

5 Разработка, ввод и редактирование входных воздействий 11

6 Схемотехническое моделирование работы ИС 12

7 Визуализация результатов моделирования 13

8 Разводка символьной топологии ИС 15

9 Компиляция контурной топологии ИС 17

10 Схемотехническое моделирование работы ИС с учётом паразитных узловых ёмкостей контурной топологии 18

11 Изучение влияния параметров технологического процесса на топологию ИС 20

12 Общие выводы 23

СПИСОК  ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 24